原子层沉积技术
发表时间：2023-08-19
原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition, ALD）又被称为分子层沉积技术，是一种用于制备纳米材料的薄膜沉积技术。它是一种逐层生长的过程，通过在基底表面交替地沉积单个原子或分子层来实现。
原子层沉积技术的基本原理是通过气相前体分子的交替进料和反应，每次反应只能沉积一层原子或分子，并且保证前一层与后一层的界面完全无缺陷。这种逐层生长的过程可以控制沉积层的厚度、化学成分和结构，从而实现对薄膜性质的精确控制。
原子层沉积技术具有以下几个特点：
1. 高度可控性：由于前体分子的交替供应，可以精确控制每一层的厚度和成分，从而实现对薄膜性质的精确调控。
2. 均匀性：原子层沉积技术可以在微米尺度和纳米尺度上实现均匀的薄膜沉积，避免了传统方法中出现的厚度不均匀、成分不均匀等问题。
3. 高质量薄膜：由于每一层的沉积都经过反应和清洗步骤，原子层沉积技术可以实现高纯度、低缺陷的薄膜制备。
4. 多功能性：原子层沉积技术可以用于不同材料的薄膜沉积，包括金属、氧化物、硫化物等，并且可以通过控制沉积条件来调控薄膜的物理、化学和电学性质。
原子层沉积技术在许多领域具有广泛应用，例如微电子器件制造、光学薄膜涂层、能源存储、触摸屏制备等。它为纳米尺度下新材料的研发和制备提供了重要的工具和技术支持。
AGUS ALD-原子层沉积系统：http://www.kaits.com.cn/Product.aspx?cid=5
