ALD周期四个步骤
发表时间：2023-08-19
ALD (Atomic Layer Deposition) ，原子层沉积是一种化学气相沉积技术，用于薄膜的制备。ALD通常由以下四个步骤组成：
1. 供应前体气体：首先，两种或多种前体气体被引入到反应室中。这些前体气体通常是挥发性化合物，可以分解生成所需的材料。
2. 吸附前体气体：在反应室内，材料表面会与前体气体发生反应，并将其吸附在表面上。这一步骤通常在低温下进行，以确保前体分子能够准确地吸附在表面上，并且反应不会在气相中发生。
3. 清洗步骤：为了确保只有所需的材料留在表面上，通常进行清洗步骤。这可以通过引入某种清洗气体或处理化学反应来实现，以去除非所需的物质。
4. 反应副产物的去除：在反应过程中可能会产生副产物，如气体或固体残留物。为了确保薄膜质量和纯净度，必须从反应室中去除这些副产物。
通过循环执行上述步骤，可以逐层沉积所需的材料，形成高质量、均匀且精确厚度控制的薄膜。这些特性使得ALD在微电子、光电子、能源存储等领域具有广泛的应用前景。
AGUS ALD-原子层沉积系统：http://www.kaits.com.cn/Product.aspx?cid=5
